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J-GLOBAL ID：200903071923453261

プリント基板からの電磁放射簡易計算方法、プリント基板からの電磁放射簡易計算装置及び、電磁放射簡易計算プログラムを記録した記録媒体

Inventor：
浅尾 清

About 浅尾 清


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999349409
Publication number (International publication number)：2001165974
Application date： Dec. 08, 1999
Publication date： Jun. 22, 2001
Summary：
【要約】【課題】 精度が良く、電界をベクトルとして考えて打ち消しの場合も考慮した、基板設計CADの中で会話的に利用できる電界強度計算の装置を提供する。【解決手段】 電界強度計算手段1は、プリント基板レイアウトCADのデータaを読んで、配線ごとにその配線をドライブするICのピン、レシーバとなっているICのピンを抽出し、IC・配線情報bから得られるそれぞれのICと配線の情報と、電界観測点までの距離などのパラメータが定義された計算パラメータcの情報を使って、微小ループアンテナが作る電界の式に基づき、その配線が作る電界強度を計算し、結果データdを生成する。結果表示手段2は、結果データdから、計算パラメータcに定義してある許容値をこえている配線を抽出し、その周波数とネット名の一覧eを出力しまた、電界ベクトルを周波数ごとにベクトル加算し、基板全体の電界を得、周波数-電界強度グラフfを出力する。
Claim (excerpt)：
プリント基板からの電磁放射簡易計算方法において、前記プリント基板におけるネット(配線)及びICの物理的レイアウトを規定するプリント基板レイアウトデータと前記IC間の出力電圧や動作周波数などの情報伝達条件を規定するIC・配線情報と電界観測対象のネット名や観測対象の周波数などの電界観測条件を規定する計算パラメータをそれぞれ格納するファイルを予め具備し以下のStepを行うことを特徴とするプリント基板からの電磁放射簡易計算方法。Step1:前記計算パラメータを読んで、セグメントの長さl、電界の観測点までの距離r、計算する周波数の範囲fmin、fmax、計算対象の前記ネット名を得る。Step2:前記計算対象のネットごとに、以下のStep3〜Step5処理をおこなう。Step3:1)前記プリント基板レイアウトデータを読んで、前記ネットにつながっているICの出力ピンと、入力ピンを取り出す。2)前記IC・配線情報を読んで、前記ICの出力ピンと入力ピンの情報と、前記ネットの動作周波数f0を取り出す。3)高調波ごとの電圧振幅V(n*f0)を計算する。このとき、計算する周波数の前記範囲fmin、fmaxを考慮して、その範囲の高調波だけを選び出す。Step4:1)前記プリント基板レイアウトデータを読んで、前記ネットの配線幅w、配線厚h、プレーンまでの距離s、誘電率ε、配線経路、配線長を得る。2)前記1)の情報に基づき前記セグメントにおけるインダクタンスLt,キャパシタンスCtを求める。3)前記ネットの配線長と前記セグメントの長さを考えて、前記ネットを前記セグメントからなる等価回路に置き換える。Step5:前記選ばれた高調波ごとに、以下の処理をおこなう。1)前記ネットの各セグメントごとに前記インダクタンスLtに流れる電流を求める。2)求められた前記電流から前記ネットの各セグメントごとに電界の大きさを求める。そして前記各セグメントの始点、終点の前記プリント基板上の座標を使って前記電界をベクトル化する。3)前記各セグメントごとの電界ベクトルを加算し前記ネット全体からの電界を求める。Step6:Step2で求められた前記計算対象のネットごと前記電界ベクトルを、前記高周波ごとに加算して、基板プリント全体の電界を得る。
IPC (3)：
G01R 29/08 ,  G06F 17/00 ,  G06F 17/50
FI (3)：
G01R 29/08 Z ,  G06F 15/20 D ,  G06F 15/60 666 V
F-Term (9)：
5B046AA08 ,  5B046BA04 ,  5B046GA01 ,  5B046JA10 ,  5B049BB07 ,  5B049EE03 ,  5B049EE41 ,  5B049FF03 ,  5B049FF04
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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