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J-GLOBAL ID：200903071925676381

液晶表示装置

Inventor： 河内 玄士朗 ,  鈴木 雅彦 ,  亀井 達生 ,  松永 邦之 ,  阿須間 宏明 ,  石井 正宏 ,  北島 雅明
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994001496
Publication number (International publication number)：1995209666
Application date： Jan. 12, 1994
Publication date： Aug. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】安価で高画質の有する液晶表示装置を提供する。【構成】画素電極に接続された付加容量を、共通電極と、共通電極上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上に形成された真性半導体膜と、真性半導体膜上に直接形成された上部電極とから構成した。【効果】ソース電極を真性半導体膜上に直接形成し両極性のキャリアがソース電極から真性半導体に注入されるようにすることにより、真性半導体膜中の捕獲電子のゆっくりした放出による容量値の変化をスクリーニングできる。これにより、容量値の変化に伴う液晶駆動電圧の減衰を防止できる。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に形成した複数の走査電極と、前記走査電極と交差するように形成された複数の映像信号電極と、前記走査電極と映像信号電極に接続された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された画素電極と、前記画素電極に接続された付加容量とからなるアクティブマトリックス基板と、前記アクティブマトリックス基板に対向する対向基板と、前記アクティブマトリックス基板と対向基板とに挟持された液晶層とから構成され、前記画素電極によって前記液晶層を駆動する機能を有する液晶表示装置において、前記付加容量は、共通電極と、前記共通電極上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された真性半導体膜と、前記真性半導体膜上に直接形成された上部電極とから構成されたことを特徴とする液晶表示装置。

IPC (3)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 29/786