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J-GLOBAL ID：200903071929365399

有機Siソースを用いた成膜方法、同成膜装置、及び半導体装置の製造方法

Inventor： 斎藤 正樹
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 高月 亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994160900
Publication number (International publication number)：1996031817
Application date： Jul. 13, 1994
Publication date： Feb. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】 有機SiソースとO2 等の酸化剤との反応によるシリコン酸化膜を形成する技術について、得られるシリコン酸化膜の膜質を改良し、例えばこのシリコン酸化膜上にTEOS-O3 プロセスでシリコン酸化膜を更に成膜する場合も、これを良好に成膜でき、これを工程数の増加や新しい設備の付加・導入を抑えて実現する。【構成】 有機Siソースと酸化剤との反応によりシリコン酸化膜を基板1上に形成する際、シリコン酸化膜の形成を高周波電圧を印加したチェンバ10内で行い、高周波電圧の印加を止めた後続けて該チェンバ内にSi含有有機ガスを含むガスを導入するか、もしくはアルコールを含むガスを導入する工程を備える。

Claim (excerpt)：

有機Siソースと酸化剤との反応によりシリコン酸化膜を基板上に形成する成膜方法において、上記シリコン酸化膜の形成を高周波電圧を印加したチェンバ内で行い、高周波電圧の印加を止めた後続けて該チェンバ内にSi含有有機ガスを含むガスを導入するか、もしくはアルコールを含むガスを導入する工程を備えることを特徴とする有機Siソースを用いた成膜方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31