記憶素子及びメモリ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：角田芳末 , 磯山弘信
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004277601
Publication number (International publication number)：2006093432
Application date： Sep. 24, 2004
Publication date： Apr. 06, 2006
Summary：

【課題】スピン注入効率を向上することにより、書き込みに要する電流値を低減することができる記憶素子を提供する。【解決手段】情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層17の上下に、中間層16,18を介して磁化固定層31,32が設けられ、それぞれの中間層16,18がいずれも絶縁層から成り、記憶層17の上下の磁化固定層31,32のそれぞれ記憶層17に最も近い強磁性層15,19の磁化M15,M19の向きが互いに反対向きであり、記憶層17の上下2つの中間層16,18が面積抵抗値に有意差を有しており、積層方向に電流を流すことにより記憶層17の磁化M1の向きが変化して、記憶層に情報が記録される記憶素子3を構成する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層を有し、前記記憶層の上下に、それぞれ中間層を介して磁化固定層が設けられ、それぞれの前記中間層がいずれも絶縁層から成り、前記記憶層の上下の前記磁化固定層において、それぞれ前記記憶層に最も近い強磁性層の磁化の向きが互いに反対向きであり、積層方向に電流を流すことにより、前記記憶層の磁化の向きが変化して、前記記憶層に対して情報の記録が行われ、前記記憶層の上下2つの前記中間層は、面積抵抗値に有意差があり、面積抵抗値の高い方の前記中間層の磁気抵抗変化率が面積抵抗値の低い方の前記中間層の磁気抵抗変化率よりも大きいことを特徴とする記憶素子。

IPC (4)：

H01L 27/105 , H01L 21/824 , G11C 11/15 , H01L 43/08

FI (3)：

H01L27/10 447 , G11C11/15 112 , H01L43/08 Z

F-Term (10)：

5F083FZ10 , 5F083GA05 , 5F083JA37 , 5F083LA12 , 5F083LA16 , 5F083PR01 , 5F083PR03 , 5F083PR12 , 5F083PR22 , 5F083PR33

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

キャリヤスピン注入磁化反転型磁気抵抗効果膜と該膜を用いた不揮発性メモリー素子及び該素子を用いたメモリー装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-203934 Applicant：財団法人理工学振興会, 財団法人神奈川科学技術アカデミー
米国特許公開第2004/0027853号明細書

Cited by examiner (4)

磁気セル及び磁気メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-396201 Applicant：株式会社東芝
スピントランスファーを利用する磁性素子及び磁性素子を使用するMRAMデバイス
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2004-526064 Applicant：グランディスインコーポレイテッド
メモリセル装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-066411 Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー

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