Pat

J-GLOBAL ID：200903071965511601

CVD装置

Inventor： 星野 正和
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 高田 幸彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992145335
Publication number (International publication number)：1993343331
Application date： Jun. 05, 1992
Publication date： Dec. 24, 1993
Summary：

【要約】【目的】CVD装置において、反応性ガス供給ヘッドを効率的に冷却する事により、反応生成物の塵埃によるウエハ汚染を低減し、半導体素子製造過程における歩留まりの向上と高スループット化を実現する。【構成】ガス供給ヘッド2は、ガスバッファ室18を囲む様に冷却ジャケット21が、ガスバッファ室18から冷却ジャケット21を貫通する様に、微小孔を有する複数本の連結棒19が設けられる。この微小孔がガス噴出口17となり、反応性ガスをCVD反応炉1内に供給する。この時、この冷却ジャケットに冷却流体を流動させる。

Claim (excerpt)：

CVD反応炉内に設けられたサセプタ上にウエハを設置し、前記ウエハを加熱すると同時に、反応性ガスを水等の冷却流体により冷却されるガス供給ヘッドのガス噴出口より前記CVD反応炉内に供給し、排気口より真空ポンプでガス排気して、前記ウエハ上に薄膜を生成するCVD装置において、ガスバッファ室を囲む様に冷却ジャケットが、前記ガスバッファ室から前記冷却ジャケットを貫通する様に微小孔を有する複数本の棒が設けられた構造のガス供給ヘッドを用いて、前記微小孔を前記ガス噴出口として、前記反応性ガスを前記CVD反応炉内に供給することを特徴とするCVD装置。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-349196
  
• パターン分類用ニューロンの出力方式
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-349196   Applicant：株式会社東芝