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J-GLOBAL ID：200903071976771206

半導体装置

Inventor： 沖川 進 ,  福田 一
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 田村 弘明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993052617
Publication number (International publication number)：1994268114
Application date： Mar. 12, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体チップの熱を効果的に広げかつ放散できるとともに、製造工程、品質検査工程、回路基板への半田付け工程、さらに各種回路での使用状態において、装置を構成する金属やレジンの熱膨張差による変形、剥離およびクラック発生等のトラブルが生じない、高速かつ大容量の半導体装置。【構成】 本発明はレジンモールド型半導体装置において、レジンに近似した熱膨張係数を有し、かつ高熱伝導度を有する複合材料で、ヒートスプレッダーが構成され、該複合材料は、Al,Cu,Zn等の高熱伝導度を有する金属素材と、C,SiC,Si3 N4 等からなる粉状、繊維状あるいは多孔状の熱膨張抑止材との混合体、又は低熱膨張係数を有するFe-Ni合金とCuとの混合体からなる。

Claim (excerpt)：

ヒートスプレッダーに接合された半導体チップとインナリードが電気的に接続されレジンで封止された半導体装置において、ヒートスプレッダーが、前記レジンに近似した熱膨張係数を有しかつ高熱伝導度を有する複合材料で構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 23/373 ,  H01L 23/28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭62-057180
  
• 特開昭62-094396
  
• プリペイドカ-ド用基材
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-342901   Applicant：藤森工業株式会社