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J-GLOBAL ID：200903071978041990

熱処理装置とこれを用いた半導体結晶の熱処理法

Inventor： 本間 孝治
Applicant, Patent owner： 株式会社ケミトロニクス
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997293131
Publication number (International publication number)：1999097448
Application date： Sep. 18, 1997
Publication date： Apr. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】半導体結晶ウエーハを急速に熱処理する装置において熱処理中の半導体結晶ウエーハの温度が正確に制御でき、ウエーハの表面、裏面の温度差を制御して結晶欠陥の発生のない熱処理装置を提供することを目的にしている。【解決手段】半導体結晶ウエーハを短時間で熱処理する主要構成部は急速加熱と急速冷却できる上部熱源と下部熱源を狭間隔で配置した構造からなり、所望の熱処理温度で間隔内の温度が均一な温度分布になる間隔Gを選定する。半導体結晶ウエーハは両熱源の間隔G内に配置して熱処理する。【効果】半導体結晶ウエーハの熱処理温度が高精度に制御できるので、素子性能と再現性が向上する。急速熱処理でのスリップラインの発生を抑制できるので、短時間アニール工程を実用化できる。熱処理部の体積が小さいので装置が小型化できるようになる。

Claim (excerpt)：

熱処理装置において、急速加熱および急速冷却が可能な熱源を対向して配列し、この間隙内の任意の位置で試料を保管して熱処理することを特徴とする熱処理装置。

IPC (2)：

H01L 21/324 ,  H01L 21/26

FI (4)：

H01L 21/324 K ,  H01L 21/324 C ,  H01L 21/324 Q ,  H01L 21/26 G