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J-GLOBAL ID：200903071984097263

化合物半導体の成長方法、化合物半導体発光素子及びその製造方法

Inventor： 細羽 弘之 ,  須山 尚宏 ,  ▲吉▼田 智彦 ,  兼岩 進治 ,  近藤 雅文 ,  幡 俊雄 ,  大林 健
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992045809
Publication number (International publication number)：1993243614
Application date： Mar. 03, 1992
Publication date： Sep. 21, 1993
Summary：

【要約】【目的】 結晶性が良好で抵抗率の低い化合物半導体が得られる化合物半導体の成長方法、及びこの成長方法を利用した、電気的及び光学的特性が良好な化合物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。【構成】 原子半径がGa及びAlよりも大きいIII族元素、例えばInを添加してGa1-xAlxN層(0≦x≦1)を形成することにより、形成される結晶に圧縮性歪を与え、窒素空孔に起因する結晶中の拡張性歪を緩和することができる。その結果、図1に示すように結晶中の自由電子濃度が減少し、格子欠陥の少ない結晶性の良好な化合物半導体が得られる。

Claim (excerpt)：

成長装置内でGa1-xAlxN層(0≦x≦1)を成長させる化合物半導体の成長方法において、該Ga1-xAlxN層に、原子半径がGa及びAlよりも大きいIII族元素を1×1017cm-3から7×1022cm-3までの濃度範囲だけ添加する工程を含む化合物半導体の成長方法。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 特開平3-218625
  
• 特開平3-211888
  
• 特開昭64-039082
  
• 特開昭49-029770
  

Cited by examiner (5)

• 特開平3-099611
  
• 特開平3-218625
  
• 特開平3-211888
  
• 特開昭64-039082
  
• 特開昭49-029770