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J-GLOBAL ID:200903071988352152

半導体集積回路

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 玉村 静世
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995096321
Publication number (International publication number):1996274296
Application date: Mar. 29, 1995
Publication date: Oct. 18, 1996
Summary:
【要約】【目的】 半導体集積回路の高集積化に伴う弊害である配線経路面積の増大を解決する技術を提供する。【構成】 電子回路素子を搭載した回路用チップ101〜105と、上記電子回路素子間を接続する配線経路を搭載した配線用チップ110とを積層させ、両層を光送信素子111と光受信素子112とを用いて光信号で接続し、所定の電子回路素子間を接続する半導体集積回路100は、電子回路素子を高集積化しても、増大する配線経路は配線用チップで集積できるから、高集積化の弊害を解消することができる。
Claim (excerpt):
半導体集積回路を構成する電子回路素子を搭載した回路用チップと、上記電子回路素子の配線経路を設けた配線用チップとを備え、上記回路用チップと配線用チップは積層状態に配置され、上記電子回路素子の入力点には光信号を電気信号に変換する光受信素子が設けられ、上記電子回路素子の出力点には電気信号を光信号に変換する光送信素子が設けられ、上記電子回路素子の入力点に対応する配線用チップの配線経路には光送信素子が設けられ、上記電子回路素子の出力点に対応する配線用チップの配線経路には光受信素子が設けられることを特徴とする半導体集積回路。
IPC (3):
H01L 27/15 ,  H01L 31/10 ,  H01L 31/12
FI (3):
H01L 27/15 C ,  H01L 31/12 G ,  H01L 31/10 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
  • 特開平4-119667
  • 特開平3-023671
  • 特開昭59-075656
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