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J-GLOBAL ID：200903071992879734

II-VI族化合物半導体装置およびその製造方法

Inventor： 村上 正紀 ,  小出 康夫 ,  寺口 信明 ,  友村 好隆
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994053589
Publication number (International publication number)：1995263372
Application date： Mar. 24, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】 接触抵抗の小さい電極構造を有するII-VI族化合物半導体装置を得ること。【構成】 p型ZnXMg1-XSYSe1-Y(0≦X≦1、0≦Y≦1)半導体層を有し、該半導体層上に半導体層を構成する元素とCd、TeまたはHgである添加物元素との化合物からなる中間層が形成され、該中間層上にNi、PtまたはPdを含んでなる電極層が形成されていることを特徴とするII-VI族化合物半導体装置及びその製造方法。【効果】 得られるII-VI族化合物半導体装置はオーミック接触が可能である。

Claim (excerpt)：

p型ZnXMg1-XSYSe1-Y(0≦X≦1、0≦Y≦1)半導体層を有し、該半導体層上に半導体層を構成する元素とCd、TeまたはHgである添加物元素との化合物からなる中間層が形成され、該中間層上にNi、PtまたはPdを含んでなる電極層が形成されていることを特徴とするII-VI族化合物半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/363 ,  H01S 3/18