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J-GLOBAL ID：200903072009785287
静電容量型圧力センサ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999182626
Publication number (International publication number)：2001013025
Application date： Jun. 29, 1999
Publication date： Jan. 19, 2001
Summary：
【要約】【課題】 小型で安価な温度検知機能を具備した静電容量型圧力センサを提供すること。【解決手段】 可変ダイアフラム部33を有するシリコン基板31と固定電極36を有するガラス基板32とがギャップ34を介して接合されて成る静電容量型圧力センサチップ35の、シリコン基板31の領域またはガラス基板32の領域に半導体サーミスタ46を形成したことを特徴とする静電容量型圧力センサ。
Claim (excerpt)：
固定電極が形成された第1の基板と、圧力に応じて変形するダイアフラム部が形成された第2の基板とを有し、前記ダイアフラム部と前記固定電極とがギャップを介して互いに対向して接合することで空洞部を形成したセンサチップを備えた静電容量型圧力センサにおいて、前記第1の基板、または第2の基板の領域に温度検知素子を具備したことを特徴とする静電容量型圧力センサ。
IPC (2)：
FI (2)：
F-Term (7)：
2F055AA40
, 2F055BB20
, 2F055DD05
, 2F055DD07
, 2F055EE25
, 2F055FF02
, 2F055GG11
