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J-GLOBAL ID：200903072023753681

めっき方法

Inventor： 西尾 文伸
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社 ,  富士通ヴィエルエスアイ株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994001445
Publication number (International publication number)：1995211719
Application date： Jan. 12, 1994
Publication date： Aug. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体ウェーハにバンプ電極を形成するめっき方法に関し、特に均一な高さのバンプ電極を形成できるめっき方法の提供を目的とする。【構成】 めっき液20を半導体ウェーハに噴流し、この半導体ウェーハをめっきするめっき方法において、めっき液20を勢い良く吹き上げる高レベル噴流Hと、この高レベル噴流Hと比較して吹き上げの勢いが弱い低レベル噴流Lとで構成し、この高レベル噴流H後に低レベル噴流Lを行なうとともに、この低レベル噴流L時においてめっき電流Iを流すように構成する。

Claim (excerpt)：

めっきカップ(21)内のめっき液(20)に浸漬した第1の電極(22)に電源(24)の一方の極を接続するとともに、このめっき液(20)の直上に配置した被めっき物(11)に前記電源(24)の他方の極を接続し、この電源(24)により前記めっき液(20)を介して前記第1の電極(22)から前記被めっき物(11)にめっき電流(I)を流すととも、前記めっきカップ(21)内で上方に向けて噴流させた前記めっき液(20)を前記被めっき物(11)の被めっき面に接触させることにより、この被めっき物(11)の被めっき面へのめっきを行なうめっき方法において、前記噴流を、前記めっき液(20)を勢い良く上方に吹き上げる高レベル噴流(H)と、この高レベル噴流(H)と比較して上方への吹き上げの勢いが弱い低レベル噴流(L)とで構成し、前記高レベル噴流(H)後に前記低レベル噴流(L)を行なうとともに、この低レベル噴流(L)時において前記めっき電流(I)を流すことを特徴とするめっき方法。

IPC (4)：

H01L 21/321 ,  C25D 5/08 ,  C25D 7/12 ,  C25D 17/00