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J-GLOBAL ID：200903072028784828

半導体薄膜の固相成長方法

Inventor： 岡本 弘之
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Agent (1)： 友松 英爾
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991222147
Publication number (International publication number)：1993047660
Application date： Aug. 07, 1991
Publication date： Feb. 26, 1993
Summary：

【要約】【構成】 (a)絶縁性基板上に不純物濃度の低い非晶質半導体膜と不純物濃度の高い非晶質半導体膜を順次堆積させ、(b)前記積層された非晶質半導体膜に結晶成長の核を生成させる熱アニール処理をし、(c)前記核が生成された膜のうち膜表面付近の不純物濃度の高い領域にイオン注入を行いアモルファス化することで核の密度を低減させ、(d)前記核の密度が低減された膜を再び熱処理して固相成長を行う。【効果】 核密度の低い非晶質半導体層の形成時間の短縮、低温で特性の優れたSOIの提供。

Claim (excerpt)：

(a)絶縁性基板上に不純物濃度の低い非晶質半導体膜と不純物濃度の高い非晶質半導体膜を順次堆積させる工程と、(b)前記積層された非晶質半導体膜に熱処理をして結晶成長の核を生成させる熱アニール工程と、(c)前記核が生成された膜のうち膜表面付近の不純物濃度の高い領域にイオン注入を行いアモルファス化することで核の密度を低減する工程と、(d)前記核の密度が低減された膜を再び熱処理して固相成長を行う熱アニール工程を有することを特徴とする半導体薄膜の固相成長方法。

IPC (6)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/225 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/40 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/265

FI (2)：

H01L 29/78 311 F ,  H01L 21/265 Q