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J-GLOBAL ID：200903072038859176

半導体装置

Inventor： 美濃 美子 ,  小川 一文 ,  美濃 規央
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 松田 正道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991347178
Publication number (International publication number)：1993182952
Application date： Dec. 27, 1991
Publication date： Jul. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】基板表面に膜厚がナノメートル程度の均一な撥水・撥油性の保護膜を形成し、撥水・撥油・防汚性、かつ耐久性に優れた半導体装置を提供すること。【構成】半導体装置をフッ化炭素基およびクロロシリル基を含む非水系溶媒に接触させることにより、半導体基板1表面の自然酸化膜2の水酸基とクロロシリル基を反応させて化学吸着膜を基板表面に析出させる。この化学吸着膜は極めて薄いナノメーターレベルの均一な膜厚のフッ化炭素系単分子膜4で半導体基板1の表面に化学結合しており、単分子膜4の表面にはフッ化アルキル基が存在する。そのため、撥水・撥油性に優れたものとなり汚れが付着しにくくなる。また、単分子膜4はシロキサン結合を介して化学結合を形成しているので耐久性に優れ基板1表面からは容易に剥離しない。さらに、単分子膜という均一で極めて薄い膜厚を得ることから透明性にも優れた保護膜を設けた半導体装置となる。

Claim (excerpt)：

基板表面に化学吸着膜が形成された半導体装置であって、前記化学吸着膜は撥水性又は撥油性を有することを特徴とする撥水・撥油性性皮膜を有する半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/314 ,  H01L 27/14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭64-002327
  
• 特開昭60-040254
  
• 特開昭59-007317
  
• 特開平1-219704