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J-GLOBAL ID：200903072042795735
半導体装置の製造方法と製造装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 章夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993315934
Publication number (International publication number)：1995142463
Application date： Nov. 22, 1993
Publication date： Jun. 02, 1995
Summary：
【要約】【目的】 高温ガラスフローやエッチングバック等の工程を不要にする一方でボイドを発生することなく二酸化シリコン系の絶縁膜をトレンチ内に埋設することを可能にした半導体装置の製造方法と、その製造を行うための製造装置を得る。【構成】 室温においてヘリコン波を用いて酸素気体を高密度プラズマ化し、電極間のグロー放電によって二酸化シリコン系の絶縁膜をシリコン表面に成長する。酸素プラズマ源としてヘリコン波プラズマ源を用いることで、酸素を完全に電離させるため、シリコン基板1に設けたトレンチ5の露出表面には二酸化シリコン系絶縁膜6が析出されるが、レジスト4の表面では酸素ラジカルがレジストを灰化するため、レジスト表面に絶縁膜6が成長されることはない。このため、レジストを用いてシリコン露出表面にのみ二酸化シリコン系絶縁膜を成長させる選択成長が可能となる。
Claim (excerpt)：
室温においてヘリコン波を用いて酸素気体を高密度プラズマ化し、電極間のグロー放電によって二酸化シリコン系の絶縁膜をシリコン表面に成長することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/316
, H01L 21/31
, H01L 21/76
H01L 21/31 C
, H01L 21/76 L
