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J-GLOBAL ID：200903072057599800

レーザーダイオード

Inventor： トーマス エル.パオリ ,  デービッド ピー.ボアー
Applicant, Patent owner： ゼロックス コーポレイション
Agent (1)： 中島 淳 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994320898
Publication number (International publication number)：1995202329
Application date： Dec. 22, 1994
Publication date： Aug. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】 より広い波長範囲で動作可能なデュアル偏光レーザダイオードを提供する。【構成】 特定なひずみが与えられたIII-V 族四元合金のQWを活性層とし、キャビティ内の一部に光学的損失または非ポンピング領域を制御可能に意図的に導入することにより、広い波長範囲で動作可能なデュアル偏光レーザダイオードが提供される。

Claim (excerpt)：

レーザーダイオードであって、(a)第1の格子定数及び第1のバンドギャップを有するIII-V族合金の結晶性基板と、(b)前記基板の上に被覆される結晶性活性層であって、前記活性層は、該活性層が前記第1の格子定数より小さな第2の格子定数と、ひずみのない時に第2のバンドギャップとを有するように、III-V族四元合金から成り、前記活性層は、前記基板の上に被覆される時に、ひずみが与えらた場合に第2のバンドギャップより小さな第3のバンドギャップを有するように伸張ひずみが与えられる、結晶性活性層と、(c)活性層に電流を流し、それによって前記活性層に600nmを越える波長でTM偏光レーザー放射を引き起こすための電極と、を含むレーザーダイオード。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-049690
  
• 半導体光集積素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-042831   Applicant：株式会社日立製作所