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J-GLOBAL ID：200903072059370436

半導体装置の製造方法

Inventor： 江尻 洋一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997147366
Publication number (International publication number)：1998335592
Application date： Jun. 05, 1997
Publication date： Dec. 18, 1998
Summary：

【要約】【課題】 寄生容量が少なく、高周波特性に優れたインダクター等を少ない工程数で形成できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 導電体17の上面及び下面が絶縁膜11、19に接しており、該導電体17の相互間を中空とする半導体装置の製造方法であって、該中空とする部分にアモルファスカーボンを形成する工程と、該アモルファスカーボンの上に通気性のある絶縁膜19を形成する工程と、該アモルファスカーボンを酸素雰囲気中で熱処理を行うことにより、該アモルファスカーボンを除去する工程と、を具備することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

導電体の上面及び下面が絶縁膜に接しており、該導電体の相互間を中空とする半導体装置の製造方法であって、該中空とする部分にアモルファスカーボンを形成する工程と、該アモルファスカーボンの上に通気性のある絶縁膜を形成する工程と、該アモルファスカーボンを酸素雰囲気中で熱処理を行うことにより、該アモルファスカーボンを除去する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/768

FI (2)：

H01L 27/04 L ,  H01L 21/90 N