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J-GLOBAL ID：200903072062740708
半導体記憶装置
Inventor：
,
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994162267
Publication number (International publication number)：1996031195
Application date： Jul. 14, 1994
Publication date： Feb. 02, 1996
Summary：
【要約】【目的】 内部に含まれる各メモリごとに不良メモリセルの最適な救済を行なうことができる半導体記憶装置を提供する。【構成】 データメモリ領域DMAaに配置されるデータメモリの不良メモリセルの救済には、多少アクセスペナルティはあっても救済効率のよい冗長救済方式を用いた救済回路を冗長ロウ領域RRAおよび冗長カラム領域RCAに配置する。一方、タグメモリ領域TMAaに配置されるタグメモリの不良メモリセルの救済には、救済の効率はあまりよくなくてもアクセスペナルティが少ない冗長救済方式を用いた救済回路を冗長カラム領域TRCAに配置する。したがって、タグメモリおよびデータメモリの各機能に応じた不良メモリセルの最適な救済を行なうことが可能となる。
Claim (excerpt)：
同一チップ上に集積され、それぞれが異なる機能を有する第1および第2メモリを含む半導体記憶装置であって、前記第1メモリは、第1冗長救済方式によりメモリセルの不良を救済する第1救済手段を含み、前記第2メモリは、前記第1冗長救済方式と異なる第2冗長救済方式によりメモリセルの不良を救済する第2救済手段を含む半導体記憶装置。
IPC (2)：
G11C 29/00 301
, G06F 12/08 310
Cited by examiner (6)
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