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J-GLOBAL ID：200903072068630203

不揮発性メモリ

Inventor： 白川 幸彦 ,  山本 恭之
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社
Agent (1)： 南條 眞一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993222597
Publication number (International publication number)：1995078944
Application date： Sep. 07, 1993
Publication date： Mar. 20, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】アクセス回数に制限がなく動作速度が速い強誘電体不揮発性メモリを得る。【構成】MOSFET型強誘電体不揮発性メモリの強誘電体として比誘電率が小さく分極軸一軸配向性を有するPb5Ge3O11薄膜材料を用いる。比誘電率が25〜30である上記薄膜をメモリーのキャパシタの誘電体に用いた場合には分極軸方位は一軸性であるため、分極反転時にPZTのような90°反転時にみられるような強誘電体膜に対する物理的ストレスが生じ難く分極方向の反転を1013回以上繰り返しても劣化がなく長寿命メモリを得ることができる。また、強誘電体に比誘電率が小さい材料を用いることにより書き込み電圧を十分低くしても強誘電体に印加される実効電圧が十分高いため高速な書き込みが可能である。電荷注入阻止層であるS1O2膜に印加される電界強度も強誘電体の誘電率が低いため十分低く抑えることが可能であり、S1O2膜の劣化による信頼性低下の問題も生じない。

Claim (excerpt)：

半導体表面電位を隣接する、もしくは電気的に接続された強誘電体薄膜の分極方位によって変化させることにより半導体表面の導電率もしくは導電タイプ(即ちN型もしくはP型)を制御する素子を用いた半導体記憶装置において、前記強誘電体薄膜をPb5Ge3O11分極軸方位配向膜を用いたことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (9)：

H01L 27/10 451 ,  G11C 11/22 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3)：

H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 325 J ,  H01L 29/78 371