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J-GLOBAL ID：200903072069519853

イオンプレーテイング法による被膜形成方法

Inventor： 町田 治 ,  森 金太郎
Applicant, Patent owner： 日立工機株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991256292
Publication number (International publication number)：1993098430
Application date： Oct. 03, 1991
Publication date： Apr. 20, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明の目的は、セラミック被膜などの成膜に用いられるイオンプレーティング法による被膜形成において、被膜の損傷が少ない条件で付着力が強く、良質の膜を得る被膜形成方法を提供することにある。【構成】 電子銃1より放出された電子ビーム6を蒸着物質5に照射して加熱蒸発させ、母材10の上に被膜を形成する。このときイオン銃16により水素イオンビーム19を母材10上に照射しながら成膜することによって、付着力のある被膜を形成する。

Claim (excerpt)：

真空容器内に、被膜の蒸発源となる金属を載置するための所定の正電位が印加されるルツボと、金属を溶融するための電子ビームを放出する電子銃と、前記ルツボに対し、負電位または高周波を印加し得る母材ホルダ上に蒸発物質と導入ガスをイオン化手段によりイオン化し、化合物被膜を形成するイオンプレーティング法において、真空容器にイオン銃を設け、化合物被膜成膜中に水素イオンを母材に照射することを特徴としたイオンプレーティング法による被膜形成方法。