半導体電界効果トランジスタ及び電力増幅器

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大胡典夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000248484
Publication number (International publication number)：2002064201
Application date： Aug. 18, 2000
Publication date： Feb. 28, 2002
Summary：

【要約】【課題】 1μm以下のゲート長においても高出力、高周波数、高効率の半導体電界効果トランジスタ及びこれを用いた電力増幅器を提供する。【解決手段】 GaN電子走行層14の下側にAl<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(0<x<1)バッファ層13を設けこの界面に負のピエゾ電荷を蓄積する。またGaN電子走行層14上にAl<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>N(0<x<y<1)キャップ層15に設けこの界面に正のピエゾ電荷を蓄積する。こうしてGaN電子走行層14中に電流を閉じ込めることが可能となり、電界効果トランジスタのオフ特性が向上する。

Claim (excerpt)：

格子緩和したAl<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(0<x<1)バッファ層と、前記Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(0<x<1)バッファ層上に形成されたn型GaNチャネル層と、前記n型GaNチャネル層上に形成されたAl<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>N(0<x<y<1)キャップ層と、前記Al<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>N(0<x<y<1)キャップ層上に形成され、前記n型GaNチャネル層の表面電位を制御するゲート電極と、前記ゲート電極を挟む位置に形成されたソース電極及びドレイン電極とを具備し、前記n型GaNチャネル層は、前記Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(0<x<1)バッファ層との界面に負のピエゾ電荷を発生し、前記Al<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>N(0<x<y<1)キャップ層との界面に正のピエゾ電荷を発生するようにしたこと特徴とする半導体電界効果トランジスタ。

IPC (7)：

H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , C01G 15/00 , H01L 21/205 , H03F 3/16 , H03F 3/21

FI (5)：

C01G 15/00 D , H01L 21/205 , H03F 3/16 A , H03F 3/21 , H01L 29/80 H

F-Term (62)：

5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AF02 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045BB12 , 5F045BB16 , 5F045CA06 , 5F045DA53 , 5F045DA69 , 5F045EE12 , 5F102GA15 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F102GS01 , 5F102GT01 , 5F102HC01 , 5F102HC11 , 5J091AA04 , 5J091AA41 , 5J091CA20 , 5J091CA36 , 5J091FA16 , 5J091HA11 , 5J091HA12 , 5J091HA16 , 5J091HA24 , 5J091HA33 , 5J091KA29 , 5J091QA02 , 5J091TA01 , 5J091TA02 , 5J091UW08 , 5J092AA04 , 5J092AA41 , 5J092CA20 , 5J092CA36 , 5J092FA16 , 5J092HA11 , 5J092HA12 , 5J092HA16 , 5J092HA24 , 5J092HA33 , 5J092KA29 , 5J092QA02 , 5J092TA01 , 5J092TA02 , 5J092VL08

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