半導体発光素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：三好秀和 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995267373
Publication number (International publication number)：1997116189
Application date： Oct. 16, 1995
Publication date： May. 02, 1997
Summary：

【要約】【課題】この発明は、チップ側面からの光の放射を抑制して単色性に優れた半導体発光素子を提供することを課題とする。【解決手段】この発明は、化合物半導体基板上に発光層を含む化合物半導体層が積層されてなる半導体発光素子において、光取り出し面から前記発光層を貫通する深さの溝がチップの周辺近傍に沿って形成され、前記発光層の溝内壁面と前記チップの側面とのなす角θ<SB>1 </SB>(0≦θ<SB>1 </SB><90°)ならびに前記発光層の溝外壁面と前記チップの側面とのなす角θ<SB>2 </SB>(0≦θ<SB>2 </SB><90°)は、前記チップの屈折率をn1 、前記溝に埋め込まれる樹脂の屈折率をn2 とし、n=n1 /n2とすると、次式、【数1】n×sin [θ<SB>2 </SB>-arcsin〔sin { θ<SB>1</SB>+θ<SB>2 </SB>-arcsin(n×sin θ<SB>1 </SB>)}/n〕]≧1により規定されて構成される。

Claim (excerpt)：

化合物半導体基板上に発光層を含む化合物半導体層が積層されてなる半導体発光素子において、光取り出し面から前記発光層を貫通する深さの溝がチップの周辺近傍に沿って形成され、前記発光層の溝内壁面と前記チップの側面とのなす角θ<SB>1 </SB>(0≦θ<SB>1</SB><90°)ならびに前記発光層の溝外壁面と前記チップの側面とのなす角θ<SB>2 </SB>(0≦θ<SB>2 </SB><90°)は、前記チップの屈折率をn1 、前記溝に埋め込まれる樹脂の屈折率をn2 とし、n=n1 /n2 とすると、次式、【数1】n×sin [θ<SB>2 </SB>-arcsin〔sin { θ<SB>1</SB>+θ<SB>2 </SB>-arcsin(n×sin θ<SB>1 </SB>)}/n〕]≧1により規定されてなることを特徴とする半導体発光素子。

FI (3)：

H01L 33/00 A , H01L 33/00 B , H01L 33/00 E

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

特開昭64-046988
特開昭64-076786
特開昭61-125092

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