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J-GLOBAL ID：200903072084784741

静磁波装置

Inventor： 脇 野 喜 久 男 ,  岡 田 剛 和 ,  新 村 悟 ,  金 谷 文 夫
Applicant, Patent owner： 株式会社村田製作所
Agent (1)： 岡田 全啓
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993127964
Publication number (International publication number)：1994318803
Application date： Apr. 30, 1993
Publication date： Nov. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高次モードによるスプリアスが抑圧される、静磁波装置を提供する。【構成】 この静磁波装置10は、たとえば円柱状のYIGからなるフェリ磁性基体12を含む。フェリ磁性基体12上には、単線状の2つの入出力用のトランスデューサ14aおよび14bが、間隔を隔てて平行に設けられる。この場合、2つのトランスデューサ14aおよび14bは、フェリ磁性基体12を横切るように設けられる。これらのトランスデューサ14aおよび14bの一端には、入出力端子16aおよび16bがそれぞれ接続される。また、これらのトランスデューサ14aおよび14bの他端は、それぞれ接地される。さらに、フェリ磁性基体12の上下には、磁石(図示せず)がそれぞれ設けられる。これらの磁石は、フェリ磁性基体12に直流磁界Hを印加するためのものである。

Claim (excerpt)：

磁界が印加される柱状のフェリ磁性基体を有する静磁波装置であって、前記フェリ磁性基体は、その幅方向における両端部から中央部にわたって厚みが徐々に厚くなるように形成された、静磁波装置。

IPC (2)：

H01P 1/215 ,  H01P 1/212