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J-GLOBAL ID：200903072085729426
垂直磁気記録媒体及び磁気記憶装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
平木 祐輔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998093334
Publication number (International publication number)：1999296833
Application date： Apr. 06, 1998
Publication date： Oct. 29, 1999
Summary：
【要約】【課題】 高密度磁気記録に適するように改良した垂直磁気記録媒体を提供する。【解決手段】 下地層を六方稠密構造もしくは非晶質構造を持つ材料からなり基板と接する第1下地層12と、六方稠密構造を持ち優先成長方位が[0001]であってその上に形成される垂直磁化膜と整合成長し得る材料からなる第2下地層13の2層構造とし、Co合金多結晶膜からなる垂直磁化膜を下層垂直磁化膜14と上層垂直磁化膜15との2層構造とする。上層垂直磁化膜は下層垂直磁化膜より非磁性元素の総添加元素濃度を低く、かつ飽和磁化(Ms)及び磁気異方性エネルギー(Ku)を大きくする。垂直磁化膜の総厚は5nm以上70nm以下とし、上層垂直磁化膜の表面側で測定した結晶粒の平均粒径を5nm以上15nm以下とする。
Claim (excerpt)：
非磁性基板上に下地層を介して形成した垂直磁化膜を備える垂直磁気記録媒体において、前記下地層は、六方稠密構造もしくは非晶質構造を持つ材料からなり前記基板と接する第1下地層と、六方稠密構造を持ち優先成長方位が[0001]であってその上に形成される垂直磁化膜と整合成長し得る材料からなる第2下地層とからなり、前記垂直磁化膜は前記第2下地層に接する下層垂直磁化膜と上層垂直磁化膜とを含み、前記下層及び上層の垂直磁化膜はCo合金多結晶膜であって、前記上層垂直磁化膜は前記下層垂直磁化膜より非磁性元素の総添加元素濃度が低く、かつ飽和磁化(Ms)及び磁気異方性エネルギー(Ku)が大きく、前記第2下地層から前記上層垂直磁化膜まで連続的に整合成長が実現されており、前記垂直磁化膜の総厚が5nm以上70nm以下であり、前記上層垂直磁化膜の表面側で測定した結晶粒の平均粒径が5nm以上15nm以下であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
IPC (2)：
FI (2)：
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