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J-GLOBAL ID：200903072091775855

半導体レーザ素子およびその製造方法

Inventor： 三浦 猛 ,  國次 恭宏
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993158822
Publication number (International publication number)：1995022689
Application date： Jun. 29, 1993
Publication date： Jan. 24, 1995
Summary：

【要約】【目的】 従来の水平共振器構造の半導体レーザ素子製造技術を用いて垂直共振器構造の面発光レーザ素子を得ることを目的とする。【構成】 n型GaAs基板15の上に、高反射絶縁膜16を形成した後、高反射絶縁膜16を選択成長マスクとしてn型GaAs基板15上に垂直方向にn型GaAs層17を結晶成長させる。n型GaAs層17の左右側面に垂直な方向に、n型AlGaAsクラッド層3、AlGaAs活性層18、p型AlGaAsクラッド層5、p型GaAsコンタクト層19を順に結晶成長させ、その上に低反射絶縁膜20を形成し、p側電極21、n側電極22を形成して面発光レーザ素子が完成する。【効果】 従来の水平共振器構造の半導体レーザ素子製造技術を用いて垂直共振構造の面発光レーザ素子を得ることができる。

Claim (excerpt)：

化合物半導体基板上に形成され、平面輪郭が左右対称な直線成分で構成された開口部を有する高反射絶縁膜と、前記化合物半導体基板上に前記高反射絶縁膜をマスクとして形成された化合物半導体層と、前記化合物半導体層の左右側面に平行に、前記高反射絶縁膜に対して垂直に形成された活性層を含む垂直多層半導体層と、前記垂直多層半導体層の上面全域に形成された低反射絶縁膜と、前記垂直多層半導体層の左右側面に沿って形成された第1の電位を与える第1電極と、前記化合物半導体層の上面に沿って形成された第2の電位を与える第2電極とを備える半導体レーザ素子。