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J-GLOBAL ID：200903072099953370
結晶基体のドーピング
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996162075
Publication number (International publication number)：1997106958
Application date： Jun. 21, 1996
Publication date： Apr. 22, 1997
Summary：
【要約】【課題】 例えばダイヤモンド、立方晶系の窒化硼素、または炭化硅素のような結晶性基体を例えば硼素、燐、または砒素のようなドーパント原子でドーピングする方法を提供する。【解決手段】 結晶性基体の結晶格子内に空格子点と格子間原子を含有する第1の破損層を生成し、この第1の破損層とは別箇であって、ドーパント原子を含有する第2の破損層を生成する条件下でドーパント原子を打込み、生成した第2の層内のドーパント原子をこの層から第1の層内の空格子点中に拡散させて、第1の層内の置換位置を占有させて行う。
Claim (excerpt)：
結晶格子を有する結晶性基体のドーピング方法において、基体を準備し、結晶格子内に空格子点と格子間原子を含有する第1の破損層を生成し、この第1の破損層とは別箇であって、ドーパント原子を含有する第2の破損層の生成条件下でドーパント原子を打込み、生成した第2の層内のドーパント原子をこの層から第1の層内の空格子点中に拡散させて、第1の層内の置換位置を占有させることから成るドーピング方法。
FI (2)：
H01L 21/265 Q
, H01L 21/265 A
