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J-GLOBAL ID:200903072107248389
プラズマプロセス装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
深見 久郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001383037
Publication number (International publication number):2003188106
Application date: Dec. 17, 2001
Publication date: Jul. 04, 2003
Summary:
【要約】【課題】 加工性が高性能で、均一性のよいプラズマプロセス装置を提供することを主要な目的とする。【解決手段】 プラズマプロセス装置は、処理室5と、処理室5内に材料ガスを導入するためのガス導入口6と、複数の放電電極2a,2bと、複数の端子を有する交流電源1とを備える。複数の端子は、出力される端子と、該出力される端子以外の浮遊電位となる端子から構成される。複数の放電電極2a,2bは、出力される端子に接続された放電電極と、前記出力される端子に接続された前記放電電極以外の、前記浮遊電位となる端子に接続されずに接地電位となる放電電極と、から構成される。出力される端子に接続された放電電極と、浮遊電位となる端子に接続されずに接地電位となる放電電極と、を切換えることが可能である。
Claim (excerpt):
処理室と、前記処理室内に材料ガスを導入するためのガス導入口と、複数の放電電極と、複数の端子を有する交流電源とを備えたプラズマプロセス装置において、前記複数の端子は、出力される端子と、該出力される端子以外の浮遊電位となる端子から構成され、前記複数の放電電極は、前記出力される端子に接続された放電電極と、前記出力される端子に接続された前記放電電極以外の、前記浮遊電位となる端子に接続されずに接地電位となる放電電極と、から構成され、前記出力される端子に接続された放電電極と、前記浮遊電位となる端子に接続されずに接地電位となる放電電極と、を切換えることが可能なプラズマプロセス装置。
IPC (4):
H01L 21/205
, C23C 16/515
, H01L 21/3065
, H05H 1/46
FI (4):
H01L 21/205
, C23C 16/515
, H05H 1/46 L
, H01L 21/302 B
F-Term (26):
4K030AA06
, 4K030BA30
, 4K030CA06
, 4K030FA01
, 4K030JA03
, 4K030JA20
, 4K030KA30
, 5F004BA06
, 5F004BB11
, 5F004BB13
, 5F004BD01
, 5F004BD04
, 5F004CA03
, 5F004DA01
, 5F004DA04
, 5F004DA11
, 5F004DA18
, 5F004DA26
, 5F004DA29
, 5F045AA08
, 5F045AB04
, 5F045BB02
, 5F045DP05
, 5F045EH04
, 5F045EH14
, 5F045EK07
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
-
プラズマ成膜装置およびプラズマ成膜方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-068642
Applicant:シャープ株式会社
-
プラズマ成膜装置およびそれを用いた成膜方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-005948
Applicant:シャープ株式会社
-
プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、基板および半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-305232
Applicant:シャープ株式会社
-
薄膜形成用プラズマ成膜装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-009963
Applicant:シャープ株式会社
-
特開平2-111881
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