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J-GLOBAL ID：200903072112131775

基板及びその製造方法

Inventor：
坂口 清文

About 坂口 清文

, 
近江 和明

About 近江 和明

, 
柳田 一隆

About 柳田 一隆


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (1)： 大塚 康徳 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999025481
Publication number (International publication number)：2000223681
Application date： Feb. 02, 1999
Publication date： Aug. 11, 2000
Summary：
【要約】【課題】多孔質層を有する第1の基板と第2の基板とを貼り合わせて貼り合わせ基板を作成し、該貼り合わせ基板を基板を多孔質層の部分で2枚の基板に分離してSOI基板を製造する方法において、分離工程における欠陥の発生を防止する。【解決手段】内部に多孔質層12を有し、その上に単結晶Si層を有し、その上にSiO2層を有する第1の基板10と第2の基板20とを貼り合わせ、その後、その基板の外周部を酸化させることにより、単結晶Si層の外周端を内部方向に後退させ、単結晶Si層13aの外周端が貼り合わせ領域の外周端よりも内側に位置する貼り合わせ基板を作成し、その後、該貼り合わせ基板を多孔質層12の部分で2枚の基板に分離する。
Claim (excerpt)：
貼り合わせ基板の製造方法であって、内部に多孔質層を有し、その上に第1の層を有し、その上に更に第2の層を有する第1の基板を作成する第1工程と、前記第1の基板の主面と第2の基板とを貼り合せて、貼り合わせ基板を作成する第2工程と、前記貼り合わせ基板に化学的処理を施すことにより、前記第1の層の外周端の少なくとも一部を前記貼り合わせ基板の内部方向に後退させる第3工程と、を含むことを特徴とする貼り合わせ基板の製造方法。
IPC (4)：
H01L 27/12 ,  C25D 11/32 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/306
FI (4)：
H01L 27/12 B ,  C25D 11/32 ,  H01L 21/265 W ,  H01L 21/306 B
F-Term (9)：
5F043AA09 ,  5F043AA32 ,  5F043AA40 ,  5F043BB01 ,  5F043BB22 ,  5F043DD01 ,  5F043DD30 ,  5F043FF07 ,  5F043GG10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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