Pat
J-GLOBAL ID：200903072117445387
半導体素子検査用ソケットのコンタクト
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鴇田 將
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998096934
Publication number (International publication number)：1999273818
Application date： Mar. 26, 1998
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：
【要約】【課題】 本発明の目的は、コンタクトの接点の接触面角の傾斜を極力防止する目的とプレス成形後の熱処理工程の削除の目的に鑑み、あらかじめ材料供給者側で時効硬化熱処理がなされた時効硬化型合金を採用し、コンタクトの製造コストを低減することにある。【解決手段】 本発明に係る半導体素子検査用ソケットのコンタクトは、バネ部を備えたコンタクトの接触部の接触力が30g以下となるように形成し、かつ前記接触部の先端を球状に形成して点接触による電気接点構造に形成したものである。
Claim (excerpt)：
バネ部を備えたコンタクトの接触部の接触力が30g以下となるように形成し、かつ前記接触部の先端を球状に形成して点接触による電気接点構造に形成したことを特徴とする半導体素子検査用ソケットのコンタクト。
IPC (4)：
H01R 33/76
, G01R 31/26
, H01L 23/32
, H01R 13/03
H01R 33/76
, G01R 31/26 J
, H01L 23/32 A
, H01R 13/03 A
