半導体装置の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：柏谷昭司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999012664
Publication number (International publication number)：2000216165
Application date： Jan. 21, 1999
Publication date： Aug. 04, 2000
Summary：

【要約】【課題】半導体装置の製造方法に関し、低温で成膜した絶縁膜を低温アニールによって改質し、また、製造装置系の構成を簡素化する。【解決手段】基体1上に絶縁膜5を堆積したのち、触媒からなる抵抗発熱体3に水素ガス2を吹きつけ、抵抗発熱体3と水素ガス2との接触反応によって水素ガス2の少なくとも一部を分解し、分解によって生成された活性種4の雰囲気中に絶縁膜5を晒す。

Claim (excerpt)：

基体上に絶縁膜を堆積したのち、触媒からなる抵抗発熱体に水素ガスを吹きつけ、前記抵抗発熱体と水素ガスとの接触反応によって水素ガスの少なくとも一部を分解し、分解によって生成された活性種の雰囲気中に前記絶縁膜を晒すことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/324 , H01L 21/31 , H01L 21/316 , H01L 21/365 , H01L 29/78

FI (8)：

H01L 21/324 R , H01L 21/324 P , H01L 21/324 Z , H01L 21/31 B , H01L 21/316 X , H01L 21/316 P , H01L 21/365 , H01L 29/78 301 T

F-Term (61)：

5F040DA00 , 5F040DB01 , 5F040EC07 , 5F040ED03 , 5F040EF02 , 5F040FA05 , 5F040FB02 , 5F040FC11 , 5F040FC18 , 5F045AA03 , 5F045AA06 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AB34 , 5F045AB40 , 5F045AC01 , 5F045AC12 , 5F045AD07 , 5F045AE17 , 5F045AF01 , 5F045AF03 , 5F045AF10 , 5F045BB16 , 5F045CA05 , 5F045CA15 , 5F045DC63 , 5F045DP01 , 5F045DP02 , 5F045DP03 , 5F045DQ10 , 5F045HA16 , 5F045HA21 , 5F045HA22 , 5F058BA01 , 5F058BA11 , 5F058BB04 , 5F058BB05 , 5F058BC01 , 5F058BC02 , 5F058BC03 , 5F058BC07 , 5F058BC08 , 5F058BC11 , 5F058BF01 , 5F058BF02 , 5F058BF04 , 5F058BF11 , 5F058BF12 , 5F058BF21 , 5F058BF22 , 5F058BF23 , 5F058BF25 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BH01 , 5F058BH02 , 5F058BH03 , 5F058BH04 , 5F058BH05 , 5F058BJ01 , 5F058BJ10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

ゲイト絶縁膜の処理方法およびゲイト絶縁膜の処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-232412 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
薄膜作成方法及び薄膜作成装置並びに半導体-絶縁体接合構造を有する半導体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-257675 Applicant：松村英樹, 日本電気株式会社, アネルバ株式会社
絶縁膜の形成方法及びp形半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-145529 Applicant：ソニー株式会社

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