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J-GLOBAL ID：200903072130453950

透明導電膜の製造方法

Inventor：
口山 崇

About 口山 崇

, 
山本 憲治

About 山本 憲治


Applicant, Patent owner：
株式会社カネカ

About 株式会社カネカ


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007286144
Publication number (International publication number)：2009114478
Application date： Nov. 02, 2007
Publication date： May. 28, 2009
Summary：
【課題】 大面積の透明導電膜を大量生産する為には、製膜温度をなるべく室温に近い状態にすることが重要であったが、低温では透明導電層の結晶性が悪く透過率に課題があるため、大量生産は困難であった。【解決手段】 室温付近でも結晶性が優れる酸化亜鉛を透明導電層材料とし、マグネトロンスパッタ法により大面積に均一に製膜することで、透明性に優れた透明導電膜を大量生産することが可能となる。また、ロールトゥロール方式においても、高品質な透明導電膜を大量に生産することが可能となる。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
透明基板上に少なくとも1層からなる、酸化亜鉛を主成分とする透明導電層、さらにその上に構造中に水素を含有するダイヤモンドライクカーボン膜からなる透明導電膜であり、かつ、該透明導電膜の550nmの波長での光線透過率が85%である透明導電膜の製造方法において、上記ダイヤモンドライクカーボン膜がターゲット材料としてカーボンを用い、キャリアガスとして水素を75〜100体積%、メタン・アルゴンから少なくとも1種類以上選択されたガスを25体積%以下含むガスを使用し、電力密度が0.05〜5.00W/cm2の範囲から選択される電力を印加するDCマグネトロンスパッタ法によって形成されることを特徴とする透明導電膜の製造方法。
IPC (5)：
C23C 14/06 ,  H01B 13/00 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  B32B 9/00
FI (6)：
C23C14/06 P ,  H01B13/00 503B ,  C23C14/06 F ,  C23C14/08 C ,  C23C14/34 M ,  B32B9/00 A
F-Term (26)：
4F100AA25B ,  4F100AA33 ,  4F100AA37A ,  4F100AG00 ,  4F100AK25 ,  4F100AT00C ,  4F100BA03 ,  4F100EH46 ,  4F100EH66 ,  4F100EH66A ,  4F100GB41 ,  4F100JG01B ,  4F100JN01B ,  4K029AA09 ,  4K029BA34 ,  4K029BA49 ,  4K029BB02 ,  4K029BC09 ,  4K029CA05 ,  4K029DC02 ,  4K029DC05 ,  4K029DC16 ,  4K029DC34 ,  4K029EA08 ,  5G323BA02 ,  5G323BB05
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)

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