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J-GLOBAL ID：200903072131593526

半導体装置の製造方法

Inventor： 山崎 辰也
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 北野 好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992288811
Publication number (International publication number)：1994140392
Application date： Oct. 27, 1992
Publication date： May. 20, 1994
Summary：

【要約】【目的】本発明は、ゲート絶縁膜又はトンネル絶縁膜として、半導体基板上に形成したシリコン酸化膜を低温で窒化してシリコン酸化窒化膜を形成する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】シリコン基板上にゲート絶縁膜として厚さ4nm程度のシリコン酸化膜SiO2 を形成したウェーハ10を、真空引きしたチャンバ12内に装填し、RTA補助熱源14により700〜900°C程度に補助加熱する。次いで、窒化材ガスとしてNH3 ガスを導入し、VUVプラズマ発光ディスクランプ18において発生させたArプラズマによるVUVをウェーハ10表面に照射する。光励起によってNH3 を分解して反応性に富む高エネルギーの窒化種のラジカルを発生させ、その窒化種ラジカルによりシリコン酸化膜SiO2 を直接に窒化し、シリコン酸化窒化膜SiONを形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板表面に相対して形成されたソース・ドレイン領域と、前記ソース・ドレイン領域間のチャネル上にゲート絶縁膜又はトンネル絶縁膜を介して形成されたゲート電極又はフローティング電極とを具備する半導体装置の製造方法において、ゲート絶縁膜又はトンネル絶縁膜として、半導体基板上にシリコン酸化膜を形成する第1の工程と、前記シリコン酸化膜上に窒素を含む所定のガスを供給し、所定の波長の光を照射し、光励起により窒化種ラジカルを生成し、前記シリコン酸化膜を窒化して、シリコン酸化窒化膜を形成する第2の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (7)：

H01L 21/318 ,  C30B 25/02 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/31 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2)：

H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371