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J-GLOBAL ID:200903072143371910
磁気センサ
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001376714
Publication number (International publication number):2003177167
Application date: Dec. 11, 2001
Publication date: Jun. 27, 2003
Summary:
【要約】【課題】 磁気インピーダンス効果を利用した磁気センサの高精度化を図る。【解決手段】 磁気インピーダンス効果によって外部磁界を検知する磁気センサにおいて、磁気センサ素子の端子に生じる逆起電圧ベクトルと所要の基準電圧ベクトルとの差電圧ベクトルを検知して、外部磁場および/または極性を測定することを可能とした磁気センサであり、3端子もしくはブリッジ回路に構成して更に精度を高める。特に、外部磁場の変化によって生じる前記逆起電圧のベクトル軌跡を複素平面上に描き、前記基準電圧ベクトルは複素平面の原点を始点とした場合、終点がベクトル軌跡上の曲率半径を有する円を所要位置に配したときの円内にあることを特徴とする磁気センサ。
Claim (excerpt):
軟磁性体からなる磁性膜もしくは磁性線と、バイアスコイルとを備えた磁気センサ素子を有し、前記磁気センサ素子に表皮効果を生じる程度の高周波電流を通じて外部磁場を検出する磁気センサにおいて、前記磁気センサ素子端子間に生じる逆起電圧ベクトルと所要の基準電圧ベクトルとの差電圧ベクトルを検知して、外部磁場および/または極性を測定することを特徴とする磁気センサ。
IPC (2):
FI (2):
G01R 33/02 D
, G01C 17/26
F-Term (8):
2G017AA02
, 2G017AA03
, 2G017AA12
, 2G017AC09
, 2G017AD51
, 2G017AD63
, 2G017AD65
, 2G017BA09
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