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J-GLOBAL ID：200903072145874196

単結晶育成装置用カーボンヒータ

Inventor： 符 森林 ,  喜田 道夫 ,  小林 達宜 ,  内藤 宣正 ,  細田 浩二
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアルシリコン株式会社
Agent (1)： 須田 正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998277002
Publication number (International publication number)：1999199371
Application date： Sep. 30, 1998
Publication date： Jul. 27, 1999
Summary：

【要約】【課題】減肉によるカーボンヒータの強度の低下を防止して寿命を長くする。【解決手段】カーボンヒータ41はるつぼ13に貯留された融液12に下端を接触させた種結晶を引上げて単結晶棒を育成し引上げとともに減少する融液12の量に応じてるつぼ13を上昇させるように構成された単結晶育成装置に用いられる。カーボンヒータ41はるつぼ13の側面を包囲する板状カーボン41にその鉛直方向に交互にスリットを設けることにより方形波状に形成され、引上げ前のるつぼ13の初期位置から引上げ後のるつぼ13の最高位置になるまでるつぼ13の側面に対向する部分のうち上端を除く部分であって外側部分又は内側部分のいずれか一方又は双方が厚肉に形成される。ヒータ表面をSiC膜により被覆することが好ましい。

Claim (excerpt)：

るつぼ(13)に貯留された融液(12)に下端を接触させた種結晶(24)を引上げて単結晶棒(25)を育成し引上げとともに減少する融液(12)の量に応じて前記るつぼ(13)を上昇させるように構成された単結晶育成装置(10)に用いられ、前記るつぼ(13)の側面を包囲する板状カーボンにその鉛直方向に交互にスリット(41a)を設けることにより方形波状に形成されたカーボンヒータ(41)において、引上げ前の前記るつぼ(13)の初期位置から引上げ後の前記るつぼ(13)の最高位置になるまで前記るつぼ(13)の側面に対向する部分のうち上端を除く部分であって外側部分又は内側部分のいずれか一方又は双方が厚肉に形成されたことを特徴とする単結晶育成装置用カーボンヒータ。

IPC (3)：

C30B 15/14 ,  H05B 3/14 ,  H05B 3/66

FI (3)：

C30B 15/14 ,  H05B 3/14 F ,  H05B 3/66

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭62-223090
  
• 特開昭61-053186
  
• 特開昭61-053187
  
• 特開昭60-131892