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J-GLOBAL ID：200903072148097778

局在化した立方晶のスピネル様の構造相を含まない層状リチウム金属酸化物及びその製造方法

Inventor： ガオ,ユアン ,  ヤコヴレヴァ,マリーナ ,  ワン,ヒュー・エイチ ,  エンゲル,ジョン・エフ
Applicant, Patent owner： エフエムシー・コーポレイション
Agent (1)： 奥山 尚一 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000582330
Publication number (International publication number)：2002529361
Application date： Nov. 12, 1999
Publication date： Sep. 10, 2002
Summary：

【要約】本発明は、局在化した立方晶のスピネル様構造を実質的に含まない六方晶系の層状結晶構造を持つ、実質的に単一な相のリチウム金属酸化物を含む。本発明のリチウム金属酸化物は式LiαMβAγO2を有し、式中、Mは一以上の遷移金属であり、Aは+2.5≦N≦+3.5、0.90≦α≦1.10及びβ+γ=1となるように平均酸化状態Nを有する一以上のドーパントである。本発明は、また、脱リチウム化形のこれらの化合物、これらの化合物を正極材料として用いるリチウム二次電池及びリチウムイオン二次電池、及びこれらの化合物の製造方法を含む。

Claim (excerpt)：

式LiαMβAγO2(式中、Mは一以上の遷移金属であり、Aは+2.5≦N≦+3.5、0.90≦α≦1.10及びβ+γ=1となるように平均酸化状態Nを有する一以上のドーパントである。)を持つ化合物であって、該化合物が実質的に単一相の六方晶系の層状結晶構造を有し、局在化した立方晶のスピネル様構造相を実質的に含まない化合物。

IPC (4)：

C01G 51/00 ,  H01M 4/02 ,  H01M 4/58 ,  H01M 10/40

FI (4)：

C01G 51/00 A ,  H01M 4/02 C ,  H01M 4/58 ,  H01M 10/40 Z

F-Term (28)：

4G048AA04 ,  4G048AB05 ,  4G048AC06 ,  4G048AD06 ,  4G048AE05 ,  5H029AJ03 ,  5H029AJ05 ,  5H029AK03 ,  5H029AL12 ,  5H029AM03 ,  5H029AM07 ,  5H029BJ03 ,  5H029CJ02 ,  5H029DJ17 ,  5H029HJ00 ,  5H029HJ02 ,  5H029HJ13 ,  5H029HJ14 ,  5H050AA07 ,  5H050AA08 ,  5H050BA17 ,  5H050CA07 ,  5H050CB12 ,  5H050FA19 ,  5H050GA02 ,  5H050HA02 ,  5H050HA13 ,  5H050HA20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 層状構造酸化物および二次電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-247281   Applicant：ティーディーケイ株式会社
• 特公昭63-059507