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J-GLOBAL ID：200903072150707052
薄膜強誘電性装置及び焦電性装置用ドナードープペロブスカイト材料形成方法及び構造
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993240104
Publication number (International publication number)：1995022593
Application date： Sep. 27, 1993
Publication date： Jan. 24, 1995
Summary：
【要約】【目的】 薄膜ペロブスカイト材料をドープすることによって基板を高温に維持することなくこの材料の誘電率を最高化する。【構成】 ペロブスカイト材料は、結晶粒度が小さくなるに従いそのキュー温度の下で誘電率が高まる。ドナードーパントは、ペロブスカイト材料の臨界結晶粒度を小さくする。それゆえ、ドナードーパントで以て真性ペロブスカイト材料をドープし、次いでその真性臨界結晶粒度より小さい平均結晶粒度を有するドナードープペロブスカイト材料の層を形成する結果、この層の残留分極特性をこの層の平均結晶粒度に類似の平均結晶粒度をもつ真性ペロブスカイト材料の残留分極特性より高くし、好適には、更にアクセプタドーパントでドープしてこの材料の抵抗を高める。基板表面上の構造は、導電層とこれに接触したこのドナードープペロブスカイト材料の層を含む。
Claim (excerpt)：
改善された強誘電材料を形成する方法であって、(a) 第2ペロブスカイト材料を形成するために第1強誘電臨界結晶粒度を有する第1ペロブスカイト材料にドナードーパントを添加するステップと、(b) 前記第1強誘電臨界結晶粒度より小さい平均結晶粒度を有する前記第2ペロブスカイト材料の層を形成するステップとを含み、前記ステップの結果、前記層の残留分極特性は前記層の平均結晶粒度に類似の平均結晶粒度をもつ前記第1ペロブスカイト材料の残留分極特性より実質的に高い、方法。
IPC (6)：
H01L 27/10 451
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 21/8242
, H01L 27/108
, H01L 37/02
H01L 27/04 C
, H01L 27/10 325 J
Cited by examiner (6)
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