Pat

J-GLOBAL ID：200903072151370205

ドライエッチング方法

Inventor： 山根 徹也
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 田治米 登 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996354839
Publication number (International publication number)：1998189548
Application date： Dec. 20, 1996
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】 シリコン系材料層を配線層にドライエッチングする際に、従来の半導体製造プロセスを大きく変更することなく、しかもサイドエッチングの発生がなく、反応室内のカーボンによる汚染もなく、配線加工の微細化を達成できるドライエッチング方法を提供する。【解決手段】 塩素ガスを含有するエッチングガスを用いてシリコン系材料層をプラズマエッチングするドライエッチング方法において、エッチングガスにSiHxBryを含有させる。

Claim (excerpt)：

塩素ガスを含有するエッチングガスを用いてシリコン系材料層をプラズマエッチングするドライエッチング方法において、エッチングガスがSiHxBry(ここでx及びyは0以上の数である。)を含有することを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213

FI (2)：

H01L 21/302 F ,  H01L 21/88 D