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J-GLOBAL ID：200903072156532157

レーザーアニール方法及び半導体膜の溶融結晶化方法

Inventor： 川村 哲也 ,  古田 守
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995198465
Publication number (International publication number)：1997045632
Application date： Aug. 03, 1995
Publication date： Feb. 14, 1997
Summary：

【要約】【課題】 基板の主面上に島状に形成された複数の被アニール膜を、互いに同一の特性を有するものとなるようにアニールすることができるレーザーアニール方法を提供する。【解決手段】 基板(薄膜トランジスタ基板10)の主面上に島状に形成されてい複数の被アニール膜(アモルファスシリコン薄膜17)の各々に、当該被アニール膜(アモルファスシリコン薄膜17)の面積よりそのビームサイズが小さいスポット状のレーザー光Aを複数回重ね照射することにより、前記複数の被アニール膜(アモルファスシリコン薄膜17)をそれぞれアニールする(溶融再結晶化を行う)。

Claim (excerpt)：

基板の主面上に島状に形成された複数の被アニール膜のそれぞれに間欠的に移動するレーザー光を照射して、当該複数の被アニール膜を所望の特性を有する膜となるようアニールするレーザーアニール方法において、前記レーザー光をそのビームサイズが前記被アニール膜の面積よりも小さいスポット状のレーザー光とし、当該スポット状のレーザー光を前記被アニール膜に複数回重ね照射することにより前記被アニール膜をアニールすることを特徴とするレーザーアニール方法。

IPC (5)：

H01L 21/268 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4)：

H01L 21/268 B ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/78 627 G