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J-GLOBAL ID：200903072159141671
半導体レーザモジュール
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山内 梅雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994296619
Publication number (International publication number)：1996152541
Application date： Nov. 30, 1994
Publication date： Jun. 11, 1996
Summary：
【要約】【目的】 変調周波数が高い場合でもモジュール内で変調信号の反射や損失を低下させることができ、高速化に十分対処することのできる半導体レーザモジュールを得ること。【構成】 モジュールパッケージ11内の半導体レーザ13を駆動する変調信号19は、光ファイバ15の光軸と直角方向に配置された第2のマイクロストリップ線路34を進行し、この端部からボンディングワイヤ36を経て、光ファイバ15の光軸と平行に配置された第1のマイクロストリップ線路32を伝搬されてレーザ光の変調を行う。第1および第2のマイクロストリップ線路32、34はそれぞれ折れ曲がった部分が存在せず、ボンディングワイヤ36によって接続されているので、マイクロストリップ線路を折り曲げた従来のものと比べて変調信号の反射や損失を防止することができ、高速化を可能にすることができる。
Claim (excerpt)：
モジュールパッケージと、このモジュールパッケージ内部に設けられた直線状の第1のマイクロストリップ線路と、この第1のマイクロストリップ線路上に配置されこの信号伝搬方向とレーザ光の射出する方向を一致させた半導体レーザと、前記第1のマイクロストリップ線路の信号伝搬方向と異なった方向に信号伝搬方向を設定し前記モジュールパッケージの外部から供給される半導体レーザ変調信号を内部に伝達する直線状の第2のマイクロストリップ線路と、前記モジュールパッケージ外部に配置された光ファイバと、前記半導体レーザとこの光ファイバを結合する結合手段と、前記第1のマイクロストリップ線路と第2のマイクロストリップ線路の間を接続したボンディングワイヤとを具備することを特徴とする半導体レーザモジュール。
IPC (2)：
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