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J-GLOBAL ID：200903072168711200

薄膜トランジスタ

Inventor： 西尾 仁 ,  石川 敦夫 ,  山口 美則 ,  太和田 善久
Applicant, Patent owner： 鐘淵化学工業株式会社
Agent (1)： 曽々木 太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991359452
Publication number (International publication number)：1993183165
Application date： Dec. 27, 1991
Publication date： Jul. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 ソ-ス、ドレイン電極の歯の部分が細く、ソ-ス、ドレインの電極間距離が狭いため、パタ-ニングが非常に困難であるという欠点が解消された薄膜トランジスタを提供する。【構成】 逆スタガ一薄膜トランジスタ等の薄膜トランジスタにおいて、一対の電極5の一方または両方が櫛状に形成されており、かつ、ゲ-ト電極2の長手方向に一対の電極5の侵入しない領域が連続的に形成されているものである。

Claim (excerpt)：

半導体層、該半導体表面とオーミックに接合される一対の電極、該半導体表面に接して形成されるゲート絶縁層、該ゲート絶縁層の他端面側に形成され該ゲート絶縁層により半導体層と絶縁性を保たれたゲート電極を、絶縁基板に積層した構造を有する絶縁ゲート型電界効果トランジスタにおいて、一対の電極の一方または両方が櫛状に形成されており、ゲート電極の長手方向に一対の電極の侵入しない領域が連続的に形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/784 ,  H01L 27/12