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J-GLOBAL ID：200903072174006047
絶縁型半導体装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002055173
Publication number (International publication number)：2003258150
Application date： Mar. 01, 2002
Publication date： Sep. 12, 2003
Summary：
【要約】【課題】製造時あるいは運転時に生ずる熱応力ないし熱歪を軽減し、各部材の変形,変性,破壊の恐れがなく、放熱性に優れるとともに信頼性が高く,低コストの絶縁型半導体装置の提供。【解決手段】開口部が設けられた樹脂ケースと該開口部に装着されたセラミックス絶縁板で外囲器が構成され、該セラミックス絶縁板が厚さ0.25〜1.25mmのセラミックス板の一方の主面に設けられた厚さ0.1〜2.3mmの配線金属層と他方の主面に設けられた厚さ0.025〜2.0mmの裏面金属層で構成され、半導体素子基体が該配線金属層上に固着され、該配線金属層と該裏面金属層が互いに同質かつ同一物性のAl合金で構成され、該セラミックス絶縁板が該外囲器の底蓋を構成している。
Claim (excerpt)：
半導体基体と前記半導体基体を搭載する複合基材であって、セラミックス板の一方の面に設けられた配線金属層と前記セラミックス板の他方の面が裏面金属層はアルミニウム(Al)合金で構成された複合基材と、上記複合基材を保持する開口部を有する外囲器と、上記外囲器の少なくとも一方の面であって、前記半導体基体を含んで樹脂封止する樹脂部とを有し、前記配線金属層には前記半導体基体が固着され、前記裏面金属層は前記外囲器の底蓋となることを特徴とする絶縁型半導体装置。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 23/12 J
, H01L 23/14 M
