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J-GLOBAL ID：200903072190520630

半導体整流素子

Inventor： 野間 真樹子 ,  岩黒 弘明 ,  笹原 喜一郎 ,  矢口 真由美 ,  吉田 美紀夫
Applicant, Patent owner： 新電元工業株式会社 ,  株式会社東根新電元
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999187195
Publication number (International publication number)：2001015771
Application date： Jul. 01, 1999
Publication date： Jan. 19, 2001
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】接触金属層とAl層との密着性を向上させ、剥離現象をなくした半導体整流素子を提供する。【解決手段】本発明は、上記の点にかんがみ、接触金属層5とAl層10との間に接触金属層とAl層の両方に接着強度の強い、Ni11を介在せしめ、前述の剥離現象を防止する構造の素子を提供するものである。

Claim (excerpt)：

一導電型の半導体基体と,該半導体基体の表面に接触形成されたショットキ金属層と、該ショットキ金属層に積層されたNi薄膜層と、該Ni薄膜層上に形成されたクッション材としてのAl金属層と、該Al金属膜に形成された電極金属層を備えたことを特徴とする半導体整流素子。

F-Term (5)：

4M104BB16 ,  4M104CC03 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104HH08