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J-GLOBAL ID：200903072195067119

中空構造多層配線を有する半導体装置の製造方法

Inventor： 梶 成彦
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 松山 允之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003423550
Publication number (International publication number)：2005183730
Application date： Dec. 19, 2003
Publication date： Jul. 07, 2005
Summary：

【課題】 低誘電率層間構造を有する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 有機物薄膜とオープンポアを有する無機系薄膜の積層膜からなる層間絶縁膜を有する多層配線を形成した後、オープンポアを通して有機膜を分解・除去することにより配線金属と無機系薄膜のみを残し、中空構造を有し低誘電率層間構造を有する半導体装置を提供する。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

基板上に、有機絶縁膜と、オープンポアを有する無機系膜とからなる多層積層構造を有する層間絶縁膜を、前記有機絶縁膜が前記基板側に隣接するよう形成する工程と、 前記層間絶縁膜の所要箇所に溝もしくは接続孔を形成する工程と、 前記溝もしくは接続孔に埋め込み金属配線を形成する工程と、 前記オープンポアを有する無機系膜のオープンポアを通して前記有機膜をエッチング除去する工程を少なくとも備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L21/768 ,  H01L21/302 ,  H01L21/316

FI (3)：

H01L21/90 N ,  H01L21/302 201B ,  H01L21/316 G

F-Term (52)：

5F004AA16 ,  5F004BA17 ,  5F004BA20 ,  5F004BB01 ,  5F004DA24 ,  5F004DA26 ,  5F004DB23 ,  5F004EA35 ,  5F004EA38 ,  5F004EB03 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK01 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP16 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ54 ,  5F033QQ74 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR29 ,  5F033RR30 ,  5F033SS11 ,  5F033SS22 ,  5F033XX24 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC05 ,  5F058BD04 ,  5F058BD07 ,  5F058BF02 ,  5F058BF46 ,  5F058BJ02