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J-GLOBAL ID：200903072197740660

結晶材料の製造方法および半導体素子

Inventor： 菱田 有二 ,  米田 知晃 ,  渡辺 正則 ,  中嶋 堅志郎 ,  江龍 修
Applicant, Patent owner： 株式会社イオン工学研究所
Agent (1)： 福島 祥人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999083187
Publication number (International publication number)：2000277448
Application date： Mar. 26, 1999
Publication date： Oct. 06, 2000
Summary：

【要約】【課題】 イオン注入による損傷が十分に回復された結晶材料の製造方法および半導体素子の製造方法を提供することである。【解決手段】 n型6H-SiCにAlイオンを注入した後、波長248nmのKrFレーザを発振時間が1μ秒以下の1または複数のパルスとして照射し、SiC結晶を溶融させずにイオン注入による照射損傷を回復させる。レーザ光の1パルス当たりの照射エネルギー密度は0.2〜1.5J/cm2 とする。

Claim (excerpt)：

所定の元素がイオン注入された結晶材料に、前記結晶材料のバンドギャップのエネルギーとほぼ同じかまたは前記結晶材料のバンドギャップのエネルギーよりも高いエネルギーのレーザ光を前記結晶材料を溶融させない状態で照射することを特徴とする結晶材料の製造方法。