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J-GLOBAL ID：200903072207549351

高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： 原田 裕次 ,  畠山 潤 ,  渡辺 淳 ,  河合 義夫 ,  笹子 勝 ,  遠藤 政孝 ,  岸村 眞治 ,  大谷 充孝 ,  宮澤 覚 ,  堤 憲太郎 ,  前田 一彦
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社 ,  松下電器産業株式会社 ,  セントラル硝子株式会社
Agent (1)： 小島 隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001266846
Publication number (International publication number)：2002155112
Application date： Sep. 04, 2001
Publication date： May. 28, 2002
Summary：

【要約】【解決手段】 式(1a)、(1b)、(1c)で示される繰り返し単位の少なくとも一つを含有する高分子化合物。【化1】(式中、RはH、酸不安定基、アルキル基又はフッ素化されたアルキル基、アシル基又はフッ素化されたアルキル部を持つアシル基から選ばれる基を表す。R1、R2はH又はFであり、R3、R4はそれぞれ酸不安定基、密着性基を示す。R5はアルキル基又はフッ素化されたアルキル基を表す。)【効果】 本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下の波長における感度が優れている。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1a)、(1b)、(1c)で示される繰り返し単位の少なくとも一つを含有する高分子化合物。【化1】(式中、Rは水素原子、酸不安定基、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基、アシル基又はフッ素化されたアルキル部を持つアシル基から選ばれる基を表す。R1、R2は水素原子又はフッ素原子であり、R3、R4はそれぞれ酸不安定基、密着性基を示す。R5は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基を表す。)

IPC (3)：

C08F 20/26 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (3)：

C08F 20/26 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R

F-Term (24)：

2H025AA01 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025EA10 ,  2H025FA01 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AL08Q ,  4J100AL31P ,  4J100AL31R ,  4J100AR11R ,  4J100BA11Q ,  4J100BA15R ,  4J100BB18R ,  4J100BC03P ,  4J100BC08P ,  4J100BC09P ,  4J100BC53Q ,  4J100JA38