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J-GLOBAL ID：200903072207840579

膜形成方法および膜形成装置

Inventor： 中原 伸之
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 渡辺 敬介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999201311
Publication number (International publication number)：2001026883
Application date： Jul. 15, 1999
Publication date： Jan. 30, 2001
Summary：

【要約】【課題】 融点及び沸点の高い蒸発原材料を用いた場合にも効率良くかつ安定して加熱蒸発させ、安定的に高レートかつ高品質な超微粒子膜の生成ができるようにする。【解決手段】 超微粒子室1内に配設された蒸発源13より蒸発する超微粒子を、蒸発源13の上方に開口部17を有する搬送管3を介して膜形成室2に搬送し、搬送管3の他開口部4に結合されたノズルに対向して設置された基板8上に、ノズルから噴射する超微粒子を堆積させることにより膜形成する超微粒子膜の生成方法において、高周波誘導加熱用コイル6で蒸発源13を溶融点以下近傍に加熱維持し、アーク電極5で急速加熱し蒸発させることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

超微粒子室内に配設された蒸発源より蒸発する超微粒子を、該超微粒子室内に導入されるガスと共に、該蒸発源の上方に開口部を有する搬送管を介して膜形成室に搬送し、該搬送管の他開口部に結合されたノズルに対向して該膜形成室内に設置された基板上に、該ノズルから噴射する該超微粒子を堆積させることにより膜形成する膜形成方法において、第一次加熱手段で前記蒸発源を溶融点以下近傍に加熱維持し、第二次加熱手段で急速加熱し蒸発させることを特徴とする膜形成方法。

F-Term (5)：

4K044AA12 ,  4K044BA02 ,  4K044BB13 ,  4K044CA13 ,  4K044CA25