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J-GLOBAL ID:200903072211272500
光照射によるポリアリレンビニレンポリマー薄膜のパターン化
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
湯浅 恭三 (外6名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994203322
Publication number (International publication number):1996070138
Application date: Aug. 29, 1994
Publication date: Mar. 12, 1996
Summary:
【要約】【構成】 式(I)で示されるポリアリレンビニレンポリマー(式中、Arは置換もしくは未置換の2価の芳香族炭化水素基または置換もしくは未置換の2価のヘテロ環基であり、これらの芳香族炭化水素基およびヘテロ環基は縮合環であっても良く、nは2以上の整数である)の薄膜に、光照射処理することによりパターンを形成する方法、該方法により製造されたパターン化されたポリマー薄膜および該パターン化されたポリマー薄膜を含む有機エレクトロルミネッセンス素子。【化1】【効果】 上記方法によれば、光照射された部分の蛍光強度を段階的に減少させることが可能であり、所望の蛍光強度パターンを有するポリアリレンビニレンポリマー薄膜を得ることができる。
Claim (excerpt):
式(I)【化1】(式中、Arは置換もしくは未置換の2価の芳香族炭化水素基または置換もしくは未置換の2価のヘテロ環基であり、これらの芳香族炭化水素基およびヘテロ環基は縮合環であっても良く、nは2以上の整数である)で示されるポリアリレンビニレンポリマーの薄膜に光照射処理することによってパターンを形成する方法。
IPC (6):
H01L 33/00
, C08G 61/02 NLF
, C08G 61/12
, C09K 11/06
, G03C 1/73
, H05B 33/10
Patent cited by the Patent: