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J-GLOBAL ID：200903072228378387
光電子集積回路
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992044409
Publication number (International publication number)：1993243552
Application date： Mar. 02, 1992
Publication date： Sep. 21, 1993
Summary：
【要約】【目的】 小さな電圧振幅の入力信号で外部から変調可能な、面発光半導体レーザが2次元アレイ状に配列された光電子集積回路を提供する。【構成】 p型GaAsよりなる半導体基板101上に、面発光半導体レーザ102とヘテロ接合バイポーラトランジスタ103の積層構造よりなる単位セル104が2次元アレイ状(紙面横方向および奥行き方向)に配列されている。ヘテロ接合バイポーラトランジスタ103のエミッタ電極111は横方向に隣接する単位セル104間を接続する行配線112に接続され、ベース電極113は奥行き方向に隣接する単位セル104間を接続する列配線114に接続されている。面発光半導体レーザ102のアノードは結晶内部で半導体基板101に接続され、半導体基板101は基板電極116を介して接地されている。
Claim (excerpt)：
導電性の半導体基板と、前記半導体基板にアノードが接続された面発光半導体レーザと、前記面発光半導体レーザのカソードにコレクタが接続されたヘテロ接合バイポーラトランジスタと、前記面発光半導体レーザと前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタを含む単位セルが前記半導体基板上に2次元アレイ状に配列されたセルアレイと、前記セルアレイ内で行方向に隣接する前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタのエミッタを共通に接続する行配線と、前記セルアレイ内で列方向に隣接する前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタのベースを共通に接続する列配線とを有することを特徴とする光電子集積回路。
IPC (5)：
H01L 27/15
, H01L 29/205
, H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01S 3/18
