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J-GLOBAL ID：200903072240499262
シリコン膜の成長方法およびその装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
舘野 千惠子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993029614
Publication number (International publication number)：1994224127
Application date： Jan. 27, 1993
Publication date： Aug. 12, 1994
Summary：
【要約】【目的】 窪みのある部分を含めて広い面積に均一に炭素およびゲルマニウムをともに含むシリコンエピタキシャル膜を成長する。【構成】 シリコンを含むガスおよび炭素を含むガスおよびゲルマニウムを含むガスを同時にシリコン基板表面上に照射することによって、炭素およびゲルマニウムをともに含んだシリコンエピタキシャル膜をシリコン上に成長する。
Claim (excerpt)：
シリコン原子を含むガス状原料および炭素原子を含むガス状原料およびゲルマニウム原子を含むガス状原料を用いて炭素およびゲルマニウムを含むシリコン膜を成長させることを特徴とするシリコン膜の成長方法。
Patent cited by the Patent：
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