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J-GLOBAL ID：200903072242087174
誘電体薄膜形成装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991297026
Publication number (International publication number)：1993136120
Application date： Nov. 13, 1991
Publication date： Jun. 01, 1993
Summary：
【要約】【構成】ランタンを混合したチタン酸鉛-ジルコニウム酸鉛の薄膜形成装置を例にとると、チタンのアルコキシド1とジルコニウムのアルコキシド2を反応炉に導入する直前で原料組成の分析機能を持つオーブン15で混合し、同一の構成を持つ混合系で鉛のβ-ジケトン錯体3とランタンのβ-ジケトン錯体4を混合し、その後で両者を反応炉に導入する。【効果】誘電体の特性を大きく変動させる組成比の組合せを選んで原料の組成を帰還制御するので、薄膜特性の再現性、制御性が向上する。
Claim (excerpt)：
二種以上の多元素からなる誘電体の薄膜形成装置において、組成比によって特性が変動する元素の組合せに対し、それらの原料を予め混合して原料としての組成比を制御してから反応炉内に導入することで、薄膜の特性の制御性を向上したことを特徴とする誘電体薄膜形成装置。
IPC (3)：
H01L 21/31
, C30B 25/14
, C30B 25/16
